【摘要】:1)一般要求:半波高度法测定时应采用直射波法,若确有困难,则也可采用一次反射回波法。灵敏度应根据需要确定,但应使噪声回波高度不超过显示屏满刻度的20%。图4-60 用半波高度法测定缺陷自身高度2)测定方法:使探头垂直于焊接接头方向扫查,沿缺陷在高度方向的伸展观察回波包络线的形态。
1)一般要求:半波高度法测定时应采用直射波法,若确有困难,则也可采用一次反射回波法。灵敏度应根据需要确定,但应使噪声回波高度不超过显示屏满刻度的20%。对于探头,原则上应选K1,2.5~5MHz的探头。聚焦斜探头的声束宽度与声束范围等主要技术参数,均应满足所检测缺陷的要求。
图4-60 用半波高度法测定缺陷自身高度
2)测定方法:使探头垂直于焊接接头方向扫查,沿缺陷在高度方向的伸展观察回波包络线的形态。若缺陷的端部回波比较明显,则以端部最大回波处作为半波高度法的起始点;若缺陷回波只有单峰,且变化比较明显,则以最大回波处作为起始点;若回波高度变化很小,则可将回波迅速降落前的半波高值作为半波高度法测高的起始点,如图4-60所示的A和A1点。测定时将回波高度的选定值调到显示屏满刻度的80%~100%,移动声束使之偏离缺陷边缘,直至回波高度降低6dB,然后根据已知的探头入射点位置、声束角度和声程长度,标出缺陷的边缘位置。
①内部缺陷:缺陷自身高度为
ΔH=(W2-W1)cosθ (4-40)
式中 W1,W2——缺陷上、下边缘位置至入射点的声程(mm);
θ——折射角(°)。
②表面开口缺陷:当缺陷开口处在检测面一侧时,缺陷自身高度为(www.daowen.com)
ΔH=Wcosθ (4-41)
式中 W——缺陷下面边缘位置至入射点的声程(mm);
θ——折射角(°)。
当缺陷开口处在检测面另一侧时,缺陷自身高度为
ΔH=t-Wcosθ (4-42)
式中 t——壁厚(mm);
W——缺陷上边缘位置至入射点的声程(mm);
θ——折射角(°)。
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