理论教育 基本地质条件解析

基本地质条件解析

时间:2023-06-16 理论教育 版权反馈
【摘要】:图6.5.1-1锦屏二级水电站引水隧洞工程地质剖面图引水隧洞沿线穿越落水洞背斜、解放沟复型向斜、老庄子复型背斜、大水沟复型背斜及规模相对较大的F5、F6、F27结构面。引水隧洞揭露的主要结构面统计见表6.5.1-1。从勘探成果及引水隧洞揭露表明,工程区岩溶发育总体微弱,洞线高程的深部岩溶形态为溶蚀裂隙和岩溶管道,不存在地下暗河系统;但锦屏山两侧岸坡地带局部岩溶相对发育。如图6.5.1-2~图6.5.1-7所示。

基本地质条件解析

引水隧洞穿越地层为三叠系浅海—滨海相、海陆交替相地层,自西向东分别为T2z杂谷脑组大理岩、T2b白山组大理岩、T2y盐塘组大理岩;其余为碎屑岩,有T1绿片岩和T3砂板岩,引水隧洞工程地质条件较为复杂,如图6.5.1-1所示。

图6.5.1-1 锦屏二级水电站引水隧洞工程地质剖面图

引水隧洞沿线穿越落水洞背斜、解放沟复型向斜、老庄子复型背斜、大水沟复型背斜及规模相对较大的F5、F6(锦屏山断层)、F27结构面。引水隧洞揭露的主要结构面统计见表6.5.1-1。

表6.5.1-1 引水隧洞主要结构面统计表

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引水隧洞岩溶主要沿NWW—NEE向张性构造带、裂隙带发育,且受岩层产状、褶皱、断层和裂隙的控制,构造是岩溶发育的主控因素。从勘探成果及引水隧洞揭露表明,工程区岩溶发育总体微弱,洞线高程的深部岩溶形态为溶蚀裂隙和岩溶管道,不存在地下暗河系统;但锦屏山两侧岸坡地带局部岩溶相对发育。

引水隧洞内揭露的地下水有裂隙性岩体中的渗滴水、线状流水,透水性断层带或溶蚀裂隙中的集中高压涌喷水。四条引水隧洞共揭露流量大于50L/s涌水点42个,其中流量大于1m3/s的涌水点达6个。如图6.5.1-2~图6.5.1-7所示。

图6.5.1-2 引(1)5+890岩溶涌水

图6.5.1-3 1号引水隧洞引(1)15+758~+765北侧边墙溶洞

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