在反激式变换器中，开关管由导通变成截止时，在一次绕组上会产生很高的尖峰电压及感应电压，因此一般需采用漏极钳位电路来吸收尖峰电压。钳位电路有多种形式，本节针对常用的RCD电路进行损耗分析，电路如图10-1所示。RCD钳位电路的工作波形如图10-5所示。

图10-5 RCD钳位电路工作波形

在t₀～t₁阶段，MOSFET导通，反激式变换器二次侧的输出整流二极管以及RCD中的二极管VD因反向偏置而截止，钳位电容C则通过电阻R进行能量的释放，所以钳位电容C两端电压U_C会下降；与此同时，变压器一次电流i_P会因为输入电压对一次电感充电而线性上升。

在t₁～t₂阶段，MOSFET关断，反激式变换器二次侧的输出整流二极管还没有导通，流过变压器一次侧的电流会给MOSFET漏源寄生电容进行充电，此时MOSFET漏源电压会U_DS快速上升，到t₂时刻U_DS上升到U_i+U_RO（分别为输入电压和反射电压）。在这个阶段钳位电容C会继续通过电阻R释放能量。

在t₂～t₃阶段，反激式变换器二次侧的输出整流二极管开始导通，变压器一次侧的能量传递到二次侧，此时，变压器一次侧可以等效为反射电压U_RO及漏感L_pleak对MOSFET漏源寄生电容继续充电，到t₃时刻，MOSFET漏源电压U_DS上升到U_i+U_CV。此时钳位电容C继续通过电阻R进行能量的释放。(www.daowen.com)

在t₃～t₄阶段，当MOSFET漏源电压U_DS上升到U_i+U_CV时，RCD电路中的二极管VD开始导通，反射电压及漏感L_pleak对钳位电容C进行充电，MOSFET漏源电压U_DS缓慢上升，到t₄时刻，变压器一次电流下降到零，二极管VD关断，此时MOSFET漏源电压U_DS上升到最大值U_i+U_CP。

在t₄～t₅阶段，二极管VD已经关断，由于MOSFET漏源电压U_DS=U_i+U_CP＞U_i，将会有反向电压加在变压器的一次侧两端，此时MOSFET漏源寄生电容会和变压器一次侧的励磁电感L_m以及漏感L_pleak发生谐振。在谐振期间，MOSFET漏源电压U_DS下降，储存于漏源寄生电容中的能量一部分将转移到二次侧，另一部分将返回输入电源。谐振结束时，漏源电压U_DS会稳定在U_i+U_RO。在这一阶段，由于二极管VD已经关断，所以钳位电容C会通过电阻R放电。

通过以上分析可知在MOSFET的整个开关周期中，RCD钳位电路的能量损耗主要是电阻R上的损耗，该损耗可以分为两个部分：一部分是漏感储能产生的损耗P_leak；另一部分是反射电压的回馈能量产生的损耗P_RO^[4]。RCD钳位电路所产生的总损耗可以通过式（10-24）～式（10-26）计算得到：