在反激式LED驱动电路中，主开关管的损耗是最重要的部分，主要包括导通损耗、截止损耗、开通损耗、关断损耗、驱动损耗和输出损耗六部分。

1.导通损耗

开关管的导通损耗P_on是指在MOSFET完全开启后，漏源电流I_DS（on）（t）在MOSFET导通电阻R_DS（on）上产生的压降所造成的损耗。在电路拓扑结构一定的情况下，要计算MOSFET的导通损耗首先要得到I_DS（on）（t）函数表达式并计算出其电流有效值I_{DS（on）rms}，再通过如下电阻损耗公式计算导通损耗，即

P_on=I²_DS（_on）rmsR_DS（on）k （10-1）

式中，k为导通电阻的温度系数。

R_DS（on）会随导通电流I_DS（on）（t）的值和器件结点温度不同而有所不同，在计算时可以通过MOSFET的规格书查找尽量靠近预计工作条件下温度系数k的值。

2.截止损耗

开关管的截止损耗P_off是指在MOSFET完全截止后，在漏源电压U_DS（off）应力下所产生的漏源电流I_DSS造成的损耗。先计算出MOSFET截止时所承受的漏源电压U_DS（_off），再查找MOSFET器件规格书提供的漏源电流I_DSS，通过下式即可得到MOSFET的截止损耗P_off为

P_off=U_DS（off）I_DSS（1-D_on） （10-2）

式中，D_on为占空比。

一般情况下，I_DSS会随U_DS（_off）变化，规格书中提供的漏源电流I_DSS的值是在漏源击穿电压U（BR）DSS条件下的参数。在计算时，如果得到的漏源电压U_DS（_off）很大并且接近漏源击穿电压U（BR）DSS，则漏源电流I_DSS的值可以直接使用此值，如果计算得到的漏源电压很小，这项损耗可以忽略。

3.开通损耗

对于反激式电源，MOSFET的开关过程可以分为两部分：MOSFET的开启过程和MOSFET的关断过程。相应的MOSFET的开关损耗P_sw也由这两部分组成开通损耗P_off-on和关断损耗P_on-off。

开通损耗P_off-on是指MOSFET开启过程中逐渐下降的漏源电压U_{DS（off-on）}（t）与逐渐上升的漏源电流I_{DS（off-on）}（t）交叉重叠部分造成的损耗，如图10-2所示。

图10-2 开通过程的漏源电压、电流重叠波形

要计算MOSFET开通损耗P_off-on，需计算或预计开启时刻前的漏源电压U_{DS（off-on）}（t_on）、开启完成后的漏源电流I_{DS（off-on）}（t）（即漏源极的峰值电流I_p），以及U_{DS（off-on）}（t）与I_{DS（off-on）}（t）的重叠时间t_r。在MOSFET的规格书中，重叠时间t_r为开通时间，是指漏源电压从90%下降到10%的时间，该时间可以在MOSFET的规格书中找到。得到以上参数后即可求得开通损耗P_off-on为(www.daowen.com)

式中，f_s为电源的工作频率。

4.关断损耗

关断损耗P_on-off是指在MOSFET关断过程中逐渐上升的漏源电压U_{DS（on-off）}（t）与逐渐下降的漏源电流I_{DSDK（on-off）}（t）的交叉重叠部分造成的损耗，其重叠波形类似图10-2中重叠波形。

此部分损耗的计算方法与开启过程损耗相似。首先要得到关断完成之后的漏源电压U_{DS（on-off）}（t_off）、关断时刻前的漏源电流I_p以及U_{DS（on-off）}（t）与I_{DSDK（on-off）}（t）重叠交叉时间t_f。在MOSFET的规格书中，时间t_f为关断时间，是指漏源电压从10%上升到90%的时间，该时间可以在MOSFET的规格书中找到。通过以上参数就可以求得MOSFET的关断损耗P_on-off为

5.驱动损耗

MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压建立的过程，通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现。驱动损耗P_gs是指MOSFET栅极接受驱动电压进行驱动所产生的损耗。该部分损耗在确定驱动电压U_gs后，计算公式为

P_gs=U_gsQ_gf_s （10-5）式中，Q_g为总驱动电量；U_gs为驱动电压；f_s为电源的工作频率。

6.输出损耗

输出损耗是指MOSFET的输出电容C_oss截止期间储蓄的电能，导通期间在漏源极上释放时的损耗。MOSFET的感生电容被大多数制造厂商分成输入电容、输出电容以及反向传输电容，上述三个电容值均可在MOSFET的规格书中找到。MOSFET的输出损耗P_ds计算公式为

式中，U_{DS（off-on）}（ton）为MOSFET开启时刻前的漏源电压；C_oss为输出电容；f_s为电源的工作频率。

综上所述，可以得到MOSFET上的总损耗P_mosfet为

P_mosfet=P_on+P_off+P_off-on+P_on-off+P_gs+P_ds（10-7）

通过上面的计算可以知道，在输出电压电流以及电源占空比一定的情况下，开关频率f_s越大，则MOSFET造成的损耗越大。