理论教育 CP测试工艺实操指南

CP测试工艺实操指南

时间:2023-06-16 理论教育 版权反馈
【摘要】:如果出现个别Pad扎不出针痕或不明显,此时一定要查明原因,不能盲目加针压,看是否针尖偏了或短了。测试过程要注意观察是否连续不良或间隔不良,不良时要及时停止观察针痕位置。任务一学习成果评价以团队小组为单位完成任务,以学生个人为单位实行考核。

CP测试工艺实操指南

测试机主要包括测试主机、测试板(DUT板)、测试软件、数据线、PC等。

1.测试机操作工艺

(1)确认DUT板、数据线连接正确。

(2)打开电源,启动PC,进入测试软件。

(3)打开测试程序。

(4)打开测试主机电源,此时PC上会显示系统初始化

探针卡——主要部件:真空泵、探针卡、显微镜、打点器、操作软件、4~8 inch真空旋钮、托盘(Tray)、旋转手轮等。

2.探针卡测试前操作

(1)确认真空泵和主机电源打开,打开软件初始化系统。

(2)进入扫描模式,移动Tray到一个角落安装Prober Card。将Prober Card安装在探针台上,一端对齐固定架并固定好,整理好数据线,引出接在DUT板上,并注意对应好标号。

(3)调整预置高度使之降低为0(防止上片时把Prober和Wafer刮坏)。

(4)清洁工作盘,确认测试Wafer Size并调节真空旋钮,戴好手套将被测Wafer放入Tray(托盘)正中央(先确认Wafer缺口方向使IC Pin与探针相对应),用真空使Wafer吸附在Tray上。

(5)进片,调整预置高度(针压),边上升高度(探针卡固定,Tray上升)边观察Wafer离Prober Card的距离,调整到适当的距离时停止上升(Wafer和Prober距离不能太近以防Wafer刮到Prober),调节显微镜到最清晰的视窗,然后把Wafer的水平位置扫直。

(6)填写测试数据,包括Wafer Size,X、Y步距,测试方法和测试Map数据等(注意X、Y的移动距离,多测的排列顺序应该与Prober Card的Site的排列顺序一致)。

(7)对针痕,微动模式移动Wafer,使针尖对准Die Pad,慢慢调整预置高度(针压),直到可以在Die Pad上扎出针痕(注意针痕不能太重,高度只能一点一点增加,直至出现针痕马上停止),微动调整针痕的位置,使之一定扎在Die Pad的中心位置。如果出现个别Pad扎不出针痕或不明显,此时一定要查明原因,不能盲目加针压,看是否针尖偏了或短了。

(8)在Wafer周围扎一次针,观察针痕是否偏离,以确认水平是否扫直。

(9)找到测试第一点位置,单步移动Wafer使第一点位置与Prober Card第一site(点)位置相对应。

(10)测试开始。测试过程要注意观察是否连续不良或间隔不良,不良时要及时停止观察针痕位置。测试完成后对坏点重测,载入的数据一定是最后测完的数据。

3.晶圆芯片的CP测试步骤(www.daowen.com)

(1)在晶圆探针台上安装探卡。

(2)与探卡相匹配的校准晶圆安装在晶圆承片步进台上。

(3)接通电源、接地线和气源。

(4)开机。

(5)设置自动探针台的运行工作参数。

(6)手动校正探卡位置和墨点位置,并设置墨点大小。

(7)执行探针台自动校正命令,校正探卡位置。

(8)晶圆芯片校准样品模拟测试。

(9)在一切正常前提下,对晶圆进行自动探针测试。

(10)探针阵列和测试芯片接触。

(11)启动和完成芯片测试。

(12)打点标记后,进行另一个芯片测试。

(13)重复循环芯片测试,完成整个晶圆的测试。

(14)检查晶圆表面,记录探针压痕不合格和墨点标记不合格的芯片。

(15)对照被测晶圆,进行数据分析。

任务一学习成果评价

以团队小组为单位完成任务,以学生个人为单位实行考核。

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