晶圆减薄，是对制作集成电路中的晶圆体减小尺寸，为了制作更复杂的集成电路。从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求，因此在几百道工艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，简称晶圆减薄，对应装备就是晶片减薄机。

作用：通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果。减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。晶圆减薄与蓝膜如图7.4所示。

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图7.4　晶圆减薄与蓝膜

常规工艺：将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨来减薄晶圆，达到封装需要的厚度（8～10 mils）；磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落；通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Die（晶粒），方便后面的Die Attach（芯片粘接）等工序。Wafer Wash（晶圆清洗）主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；减薄/抛光到80～100 μm，粗糙度为5～20 nm，平整度为±3 μm。