下图为封装的前段工艺流程，在现有的集成电路芯片生产工艺中，一般具有以下步骤：硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成型、上焊锡、打码。FOL工艺流程如图7.2所示。

图7.2　FOL工艺流程

常用到的FOL封装术语：

（1）Raw Material in Assembly：封装原材料。

（2）Wafer：晶圆。(www.daowen.com)

（3）Lead Frame：引线框架，主要材料为铜，会在上面进行镀Ag、Ni、Pd、Au等材料，如图7.3所示。

图7.3　引线框架

（4）Gold Wire：焊接金线。金线采用的是99.99%的高纯度金，同时出于成本考虑，目前有采用铜线和铝线合金工艺的。合金工艺优点：成本降低，有更好的机械性能。缺点：由于机械强度增加损失了一定的电性能；同时工艺难度加大，良率降低。线径决定可传导的电流，有0.8 mil，1.0 mil，1.3 mils，1.5 mils和2.0 mils。

（5）Mold Compound：塑封料/环氧树脂，主要成分为环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂等），主要功能是在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来，提供物理和电气保护，防止外界干扰。

（6）Epoxy：银浆，成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag），有三个作用：将Die固定在Die Pad上、散热、导电。