经上述各工艺之后，我们实现了从硅片（Wafer）到IC晶圆的过程。现在的晶圆有了IC功能，有时我们称之为IC Wafer，每颗IC在后工序之前都必须进行CP（Chip Prober芯片探查），以验证产品的功能是否正常，并挑出不良的产品和区分性能等级。

整片IC Wafer的测试结果通常是生成一个WaferMap文件，数据生成一个datalog，例如STD文件。WaferMap主要包含良率、测试时间、各Bin的错误数和Die位置，datalog则是具体的测试结果。工程师通过分析这些数据，决定是否进入量产（详细内容参见后模块）。WaferMap文件如图6.27所示。

图6.27　WaferMap文件图

任务三学习成果评价

以团队小组为单位完成任务，以学生个人为单位实行考核。

本模块知识小结

本模块主要介绍了光刻、蚀刻和掺杂工艺。在任务一中介绍重点介绍了光刻工艺的8道步骤；任务二重点介绍了蚀刻工艺；任务三重点介绍了掺杂工艺。通过此模块学习可使读者掌握光刻机和光刻工艺，可为读者学习后续的WP与IC颗粒和集成电路封装的内容奠定基础。

现场典型工作任务案例教学

模块六测评题

一、判断题（判断正确与错误，用×、√表示）

1.最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。（　）

2.步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。（　）

3.光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。（　）

4.曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。（　）

5.对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。（　）

6.芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。（　）(www.daowen.com)

7.光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行蚀刻和离子注入的硅片上。（　）

8.有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、蚀刻区和扩散区。（　）

9.投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。（　）

10.光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。（　）

11.制备SiO2的方法有溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、热氧化法、热分解淀积法等。（　）

12.常见半导体制造业的三种金属和其合金Al、Cu和铝铜合金。（　）

13.薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。（　）

14.杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。（　）

15.替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。（　）

16.热扩散掺杂的工艺可以一步实现。（　）

17.离子注入工艺中被掺杂的材料称为靶，靶材料可以是晶体，也可以是非晶体，非晶靶也称为无定形靶。（　）

18.有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。（　）

19.离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。（　）

20.蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源，其中直接加热源的加热体和待蒸发材料的载体为同一物体；而间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中进行间接加热。（　）

21.常用的溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射，其中磁控溅射的气压最低，靶电流密度最高。（　）

二、填空题

模块六学习总结报告