理论教育 光刻机总体结构及原理解析

光刻机总体结构及原理解析

时间:2023-06-16 理论教育 版权反馈
【摘要】:光刻机是生产线上最贵的机台,通常一台数千万甚至数亿美元。图5.9光刻机结构框图光刻机主要是成像系统和定位系统昂贵,其折旧速度非常快,大约3~9万人民币/天。图5.10光刻机总体结构图图5.11光刻机部分结构说明图5.12光刻机扫描和步进系统图光刻机原理与照相类比如图5.13所示。高端光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,全世界只有少数几家公司能够制造。

光刻机总体结构及原理解析

光刻机(Mask Aligner)又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机是生产线上最贵的机台,通常一台数千万甚至数亿美元。光刻机是微电子装备的核心,技术难度最大,单台成本最大,决定集成密度。

图5.9 光刻机结构框图

光刻机主要是成像系统(由15~20个直径为200~300 mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10 nm)昂贵,其折旧速度非常快,大约3~9万人民币/天。光刻部分的主要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning)。

图5.10 光刻机总体结构图

图5.11 光刻机部分结构说明

图5.12 光刻机扫描和步进系统图(Step and Scan System)(www.daowen.com)

光刻机原理与照相类比如图5.13所示。

图5.13 光刻机与照相类比

光刻机工作时,使用光敏材料(光刻胶)和可控制的曝光在光刻胶膜层形成三维图形,它可在后续工艺(蚀刻)中,保护下面的材料。

图5.14 光刻原理示意

图5.15 负性光敏材料光刻原理

光刻机生产集成电路的简要步骤:利用模版去除晶圆表面的保护膜,将晶圆浸泡在腐化剂中,失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路,用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。其中曝光机就是利用紫外线通过模版去除晶圆表面的保护膜的设备。一片晶圆可以制作数十个集成电路,根据模版曝光机分为两种:模版和晶圆大小一样,模版不动;模版和集成电路大小一样,模版随曝光机聚焦部分移动。其中模版随曝光机移动的方式,模版相对曝光机中心位置不变,始终利用聚焦镜头中心部分能得到更高的精度,已成为主流。

光刻机主要厂商品牌有ASML,尼康佳能,欧泰克,上海微电子装备,SUSS,ABM,Inc.。光刻机的品牌众多,根据采用不同技术路线可以归纳成如下几类:高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种,分辨率通常为7纳米至几微米之间,高端光刻机号称世界上最精密的仪器,世界上已有1.2亿美元一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花,其制造难度之大,全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML(镜头来自德国),日本Nikon(Intel曾经购买过Nikon的高端光刻机)和日本Canon三大品牌为主。位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机,形成产品系列并初步实现海内外销售,并正在进行其他各系列产品的研发制作工作。生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机,分辨率通常在数微米以上,主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006,以及国内品牌。曝光机是生产大规模集成电路的核心设备,制造和维护需要厚实的光学和电子工业基础,世界上只有少数厂家掌握。

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