理论教育 集成电路的膜工艺优化方案

集成电路的膜工艺优化方案

时间:2023-06-16 理论教育 版权反馈
【摘要】:模块导读硅片(裸晶圆)在进行光刻前,其工艺面需成膜,膜可保护和钝化半导体表面,作为杂质选择扩散的掩蔽层,用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘,用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等。本模块任务一介绍(硅热)氧化工艺,重点介绍热氧化成膜工艺,任务二重点介绍淀积、CVD、PVD成膜工艺。模块学习目标了解氧化膜作用,理解硅消耗与硅生长。掌握化学气相沉积法工艺。

集成电路的膜工艺优化方案

课程思政——细节决定成败!

天下大事,必作于细。古语言:“泰山不拒细壤,故能成其高;江河不择细流,故能成其深”。不管多么大的事,其实都是由一个又一个小小的细节组成的,细节决定任何事情的成败。习总书记指出:“新时代的中国青年要以实现中华民族伟大复兴为己任,增强做中国人的志气、骨气、底气,不负时代,不负韶华,不负党和人民的殷切期望!”(摘自2021年7月1日新华网)我们把每一件简单的事做好,就是不简单!把每一件平凡的事做好,就是不平凡!就是为国家做出了伟大贡献!

模块导读

硅片(裸晶圆)在进行光刻前,其工艺面需成膜,膜可保护和钝化半导体表面,作为杂质选择扩散的掩蔽层,用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘,用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等。将经过严格清洗的硅片表面处于高温的氧化气氛(干氧、湿氧、水汽)中时,由于硅片表面对氧原子具有很高的亲和力,所以硅表面与氧迅速形成SiO2层,在硅片表面生长一层SiO2膜。淀积也叫薄膜淀积,是指在Wafer上淀积一层膜的工艺,采用一定方法,使处于某种状态的一种或几种物质(原材料)的基团以物理化学方式附着于衬底材料表面,在衬底材料表面形成一层新的薄膜。本模块任务一介绍(硅热)氧化工艺,重点介绍热氧化成膜工艺,任务二重点介绍淀积、CVD、PVD成膜工艺。

模块学习目标

(1)了解氧化膜作用,理解硅消耗与硅生长。(www.daowen.com)

(2)掌握薄膜淀积(Thin Film Deposition)工艺。

(3)掌握化学气相沉积法(CVD)工艺。

(4)掌握物理气相沉积法(PVD)工艺。

(5)了解氧化膜厚度的检测。

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