在今后十年里，便携式电子产品（如智能电话、便携式计算机、掌上计算机PDA、电子医疗器械等）以其小型化、低重量、低电压、低功耗、无须制冷等优点而备受青睐，有望成为发展最快的电子产品门类。据报道，1993年，低压、低功耗IC在整个IC市场所占份额仅为4%，而到2018年，低压、低功耗IC将占整个IC市场的40%，这些电子产品对IC芯片（如DRAM、SRAM、DSP等）的要求是低压（电源电压为1 V或更低）、低功耗（小于100 mW）、高性能。尽管按等比缩小的CMOS工艺以集成度高、功耗最低、成本最低被认为是实现上述要求的最佳工艺，但是最近研究表明，当电源电压低于1 V时，普通体硅CMOS电路速度剧减，这是因为当降低阈值电压时，很难做到不使器件电流驱动性能下降和不增大静态泄漏电流，加之器件驱动性能的下降因器件寄生效应（如源、漏间结电容）、内层互连布线和结电容的增加而显得更为严重。因此，为了实现CMOS芯片的高速、低功耗，必须在以下几个方面进行技术上的革新，如更新IC设计，采用新型材料（如SOI、低介电介质），使低阻金属（Cu）互连。更新体硅IC设计必将增加电路的复杂性，从而增加IC制造成本。因此，除了在改进IC设计和优化工艺方面下功夫以外，更应着重寻找新材料与新结构的器件。

1959年美国仙童公司的诺伊思（R.Noicy）开发出用于IC（见图1.5）的Si平面工艺技术，从而推动了IC制造业的大发展。(www.daowen.com)

图1.5　仙童公司制造的IC（1959年）