晶闸管应用可以分为低速的工频相控应用类型，或快速开关的高频逆变器等应用类型。在后一类型中，需要非常严格地考虑开关特性。图2-32示出了晶闸管的开关特性。

图2-32 晶闸管的开关特性(www.daowen.com)

在正向阻断条件下，如果施加门极电流，在阳极电流开始建立之前会有一段有限的延迟时间t_d，这个延迟时间通常是几分之一微秒，并且由晶闸管开通之前的载流子过渡延迟所决定。接着，器件导通而电流在上升时间t_r内以斜率di/dt上升直至满值I_VT。导通的物理机制是十分复杂的，但可作如下的简单解释：起初，导通发生在门极—阴极周围，然后导通面积以有限的速度扩展到整个截面，如果I_A上升速度比扩散速度快，则电流密度增大，最后会造成器件的局部过热而烧毁。在导通期间，如前面所提到的那样，中间N₁和P₂区保持少数载流子的深度饱和状态，而门极失去其控制作用。

要恢复正向电压阻断能力，就要清除这些少数载流子，以使中间结承受反向电压。在导通条件下，只要从外部电路暂时施加反向电压，就能使晶闸管关断或换流。当加上反向电压时，首先正向电压变为零，而后以漏感所决定的换流di/dt斜率建立起反向电流。在关断过程开始时，两端结是保持正向偏置的，由于两端结少数载流子的消失，从而造成了反向恢复电流的流动。在最大恢复电流I_RM时，两端结开始阻断，导致恢复电流的衰减，因漏感效应，恢复电流的迅速减小，将在器件上引起一个过电压U_RRM（反向重复峰值电压）。在零电流时，中间结继续保持正向偏置，而少数载流子与邻区内的空穴允许通过复合过程而消失。最后，中间结恢复其电压阻断能力，并能成功地重新施加正向电压。需要限制重新施加的du/dt使得du/dt与贮存的少数载流子漏电流的共同作用不致造成器件的误开通。正向电流过零点与重新施加电压的起点之间的时间间隔称为电路换流反压时间t_β，恢复晶闸管电压阻断能力所需的最小电路换流反压时间被定义为晶闸管关断时间t_q。关断时间t_q受到结温T_j及I_VT、U_R、U_DRM（断态重复峰值电压）、重新施加du/dt、换流di/dt以及关断期间门极偏置的影响。在这些参数中，综合考虑是合理的。例如，某晶闸管具有t_q=25μs，在其说明书中指明，T_j=+125℃，I_T=150A，U_R=50V，重新施加du/dt=200V/μs，换流di/dt=5A/μs，门极偏置是0V，GK之间并联100Ω电阻。当重新施加du/dt=20V/μs时，这个时间可以改善至20μs，而如果反向电压被一个旁路二极管所钳位，它就可能恶化至40μs。