晶闸管的静态伏安特性如图2-31所示。如果门极电流为零，且阳极电压上升速度很低，在最大转折电压（正向击穿电压）以下，晶闸管处于正向阻断状态。正常工作时，正向电压不能超过正向击穿电压。随着门极电流的增大，正向转折电压减小，最后在I_G处，器件相当于一个没有正向阻断电压的二极管。

图2-31 晶闸管的静态伏安特性

如果晶闸管阳极电压U_AK为正值，且注入足够的门极电流，组合晶体管的射极电流由于正常的晶体管效应而增大，从而使器件进入饱和导通，这称为晶闸管的触发导通。一旦器件导通，门极电流就不再具有任何控制作用（除了门极关断晶闸管）。在导通期间，如果要求器件又返回到正向阻断状态，则必须令门极电流为零，且将阳极电流降低到一个称为维持电流的临界极限值以下，或加上一个反向电压并保持一段时间（约几十到几百微秒）。(www.daowen.com)

在晶闸管正向阻断期间，即使门极电流为零，如果正向阳极阻断电压逐渐增加到较高值，则中间结上的少数载流子漏电流，即组合晶体管集电结电流，因雪崩效应而增大。由于正反馈作用，故漏电流会放大，这最终也会导致器件导通。也就是说，即使I_G=0，如果正向电压加在器件上，电压超过一个临界极限值时，器件就进入开通。这也叫做硬开通。硬开通常常引起晶闸管损坏。

在晶闸管正向阻断期间，即使门极电流为零，如果阳极电压上升速度过快，中间结的耗尽层电容C引起的位移电流i=Cdu/dt将诱发组合晶体管的射极电流，并也将最终导致晶闸管导通。由于阳极电压上升速度过快引起的晶闸管导通称du/dt误导通。du/dt误导通将引起电路工作失常。

当加反向电压时，器件两端的PN结反向偏置，而U-I曲线基本上类似于整流二极管。正常工作时，反偏电压不能超过击穿电压。