LDO电路架构简单、外部组件很少且简单等特点。一般的LDO架构为：一个误差放大器驱动一个P型MOSFET，利用反馈电位与参考电位做比较，使输出电压保持稳定。

当系统中需求的是超低压差、低输出电压（0.8～1.8V）、高输出电流时，用传统单电源、P-MOSFET的架构来设计LDO就变得相当困难，因此出现了超低压差稳压器。

超低压差稳压器采用N-MOSFET来当驱动器，以相同大小的驱动器来说，N-MOSFET的驱动特性一般来说是优于P-MOSFET。但是，在低输入电压时，N-MOSFET的驱动特性又显不足，且可能不适合整个集成电路的工作电压。为此，采用了另一组电源输入来提供集成电路稳定的工作电压，并且大大提升N-MOSFET之驱动能力。这样能够实现低电压输入转换低电压输出，并且能够具有大的输出电流。

1.典型应用电路

图4-42所示是超低压差稳压器集成电路LTC3409的典型应用电路，它的未稳定的直流输入电压在1.6～5.5V之间，输出稳定的直流电压为1.5V。当改变电路中电阻R₁、R₂阻值时可以得到更多的输出电压等级。

图4-42 超低压差稳压器集成电路LTC3409的典型应用电路(www.daowen.com)

电路中的电容C₁为输入端滤波电容，C₃为输出端滤波电容，均使用陶瓷电容器。

表4-21所示是不同输出电压U_o情况下的电阻R₁、R₂阻值。

表4-21 不同输出电压U_o情况下的电阻R₁、R₂阻值

2.引脚分布

图4-43所示是超低压差稳压器集成电路MPC33外形示意图。