掌握场效应晶体管的主要特性，有利于场效应晶体管放大器工作原理的分析。

1.场效应晶体管输入电阻大

输入电阻大可以减轻前级放大器、信号源的负载。换言之，输入电阻大可以减轻前级放大器、信号源的输出电流。

场效应晶体管栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态或绝缘状态，所以栅极电流很小很小，或几乎为零，这使得管子的输入电阻很大。结型场效应晶体管的输入电阻达10⁸Ω以上，而绝缘栅场效应晶体管则更大。

2.场效应晶体管的电压控制特性

场效应晶体管与晶体管的根本不同在于，前者是电压控制器件，即栅极电压的变化可以引起漏极电流的变化，则不需要栅极电流就能获得漏极电流；而后者则是电流控制器件，要求信号源必须有电流流入管子，即必须有基极电流的变化才能引起集电极电流的变化。

3.场效应晶体管转移特性

图4-5所示是场效应晶体管的转移特性曲线，它用来说明G、S极之间电压U_GS对漏极电流I_D控制的特性曲线。横轴表示栅、源极之间的电压U_GS大小，纵坐标表示漏极电流I_D的大小。

图4-5 场效应晶体管的转移特性曲线

对结型场效应晶体管而言，G极与S极之间加反向偏置，即S极电压高于G极电压。

反向电压U_GS大到一定程度时，I_D=0，说明沟道已被夹断；反向电压U_GS=0V时，I_D=最大，此时的I_D称为饱和漏电流，用I_DSS表示。

当D极与S极之间电压大小变化时，转移曲线要左、右平移，但是曲线的形状基本不变。

对于N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管而言，U_GS加正向偏置电压，且U_GS较小时电流I_D为零，当U_GS大到一定程度时才有电流I_D。

4.场效应晶体管漏极特性(www.daowen.com)

图4-6所示是场效应晶体管漏极特性曲线，它与晶体管的输出特性曲线相似。电压U_GS一定时，漏极电流I_D会随漏、源极之间电压U_GS变化而改变，这一特性称为漏极特性。图中，横坐标表示漏、源极之间电压U_GS，纵坐标表示漏电流I_D。

场效应晶体管漏极特性曲线是一个曲线族，在电压U_GS值不同时，有不同的漏极特性曲线（在晶体管输出特性曲线中是改变I_B，获得一条输出特性曲线）。从这一点上也可以看出，场效应晶体管是一个电压控制器件。

从漏极特性曲线中可以看出有三个区，即Ⅰ区、Ⅱ区、Ⅲ区。表4-5所示是三区说明。

图4-6 场效应晶体管漏极特性曲线

表4-5 Ⅰ区、Ⅱ区、Ⅲ区说明

5.场效应晶体管栅极偏置特性

场效应晶体管同晶体管一样，用于放大信号时要给予它适当的偏置电压，即给栅极一个直流偏置电压。这一电压是加到栅极与源极之间的。

对结型场效应晶体管而言，栅极与源极之间应加反向偏置电压。

对于绝缘栅场效应晶体管而言，视是增强型还是耗尽型而有所不同：对增强型的而言，栅极与源极之间应采用正向偏置；对耗尽型的而言，栅极与源极之间可加正向、零、反向偏置。

表4-6所示是几种常见类型场效应晶体管偏置电压情况。

表4-6 几种常见类型场效应晶体管偏置电压情况