1.场效应晶体管电路符号

表4-2所示是场效应晶体管电路符号说明，场效应晶体管的电路符号能够表示出它的种类。

2.场效应晶体管电路符号理解和记忆方法

从场效应晶体管的电路符号中可以看出多项识图信息。图4-2所示是场效应晶体管电路符号识图信息。

表4-2 场效应晶体管电路符号说明

（续）

场效应晶体管电路符号的理解和记忆从三个方面进行。表4-3所示是场效应晶体管电路符号理解和记忆方法说明，掌握了场效应晶体管电路符号就掌握了场效应晶体管的种类，可以方便场效应晶体管电路的工作原理分析。

3.结型场效应晶体管结构和工作原理

图4-3所示是N沟道结型场效应晶体管的结构及工作原理示意图。从图4-11所示可以看出，它使用一块N型半导体，在它的上、下各引出一个电极，分别称为漏极D和源极S。在N型半导体两侧，各设一小块P型半导体，将它们连起来作为栅极G。这样，G与S之间、G与D之间各出现了一个PN结。

图4-2 场效应晶体管电路符号识图信息

表4-3 场效应晶体管电路符号理解和记忆方法

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图4-3 N沟道结型场效应晶体管的结构及工作原理示意图

表4-4所示是三种直流电压偏置情况分析。

表4-4 三种直流电压偏置情况分析

通过上述分析可知，通过改变G、S极之间的反向偏置电压大小，可改变流过沟道的电流大小，换言之，栅极电压的大小可控制流过漏极的电流的大小。

重要提示

说明场效应晶体管是一个电压控制器件，这一点与电子管的特性相同。对于晶体管而言则是电流控制器件，因为它用基极电流去控制集电极电流。

4.绝缘栅场效应晶体管结构和工作原理

图4-4所示是N沟道绝缘栅场效应晶体管结构示意图。

图4-4 N沟道绝缘栅场效应晶体管结构示意图

在两个N型区之间再形成一个N型硅薄层，于是形成N沟道。在N沟道上面加一层绝缘材料二氧化硅，在绝缘层上面加一个铝层电极，作为栅极G。

在G、S极之间加一个电压，那么G极铝层与P型衬底之间如同是以绝缘层为介质的平行板电容器。改变G、S极之间的电压大小，可以改变N沟道的电阻。

重要提示

G、S极之间电压增大时，N型导电沟道变厚，沟道电阻减小，在相同的D、S极电压下流过沟道的电流便增大。G、S极之间电压减小时，N型导电沟道变薄，沟道电阻增大，流过沟道的电流便减小。改变G、S极之间电压大小，可控制流过沟道的电流大小，即控制漏极电流的大小。