电容器损耗是电容器在电路工作过程中因为发热而损耗的能量。

1.损耗组成

电容器的损耗组成如下：

2.介质损耗

介质损耗又称介质损失，简称介损。绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗称为介质损耗。

3.金属损耗

电容器的极板和引出线都是由金属材料构成的，是金属材料就会有电阻，有电阻就会有损耗。

在电容器工作于高频段时，它的金属损耗占总损耗的比例相当大。此外，电容器的金属损耗随工作温度和工作频率的增高而增大。

4.介质损耗角δ

在理想状态下，流过电容器的电流超前电容器两端的电压90°，如图2-41所示。图中，I为流过电容器电流，U为电容器两端的电压，从图中可以看出电流超前电压正好为90°。

由于理想的电容器不存在，电容器或多或少地存在介质损耗，这时电流与电压之间的夹角不再是90°的关系。图2-42所示是介质损耗角δ示意图。

图2-41 理想状态下电容器电流与电压之间相位关系

图2-42 介质损耗角δ示意图

将I_c与之间的夹角称为介质损耗角δ，将和I_R之间夹角称为功率因数角ϕ。

图中，C是电容器的纯电容，I_C是流过电容C的电流。R是电容器的等效串联电阻，I_R是流过电阻R的电流，它与电压夹角为零。是流过R、C电路的总电流。

5.介质损耗正切值（tanδ）

介质损耗正切值又称介质损耗因数，它是介质损耗角正切值，简称介损正切值，常用tanδ表示。这一参数直接用来表示电容器的损耗情况。(www.daowen.com)

从电容器损耗的定义可看出介质损耗正切值的含义。电容器在工作过程中，除了向电路输出一定的无功功率Q外，还在电容器内部产生一定的有功功率P，这一有功功率P就是电容器的损耗。

电容器的损耗与电容器的容量相关，这样就很难判断一只电容器的品质如何，为此采用了单位容量电容器的损耗来表示电容器的损耗情况，这样电容器的损耗就与容量无关，而直接与电容器制造过程中的工艺、材料、结构等相关，这样便能更科学地评价电容器的品质。

这个单位容量电容器的损耗用电容器的介质损耗角正切来表示，即tanδ。

式中，tanδ为电容器介质损耗正切；P为电容器的损耗；Q为电容器的容量。

上式表示了单位容量电容器的损耗。

相对于电容器的等效电路而言，如图2-43所示，tanδ可以写成如下公式。

式中，P为电容器的损耗；C为电容器的容量（F）；R为电容器的等效串联电路电阻（Ω）；

从上式可以看出，如果能够精确测量出上式中的R和C，那么通过计算就能得到电容器的tanδ，从而就能准确地表示出电容器的损耗情况。

图2-43 电容器等效电路

电容器的tanδ越大，电容器的损耗就越大。

电容器的tanδ有时用散逸因数（Dissipation Factor，DF）表示。

6.影响电容器tanδ因素

影响电容器的tanδ的因素较多，主要有下列几个方面：

（1）电容ESR的影响。电容器的ESR越大，tanδ越大，电容器的损耗就越大。可见，电容器的损耗的关键因素是ESR，所以高品质电容器中的ESR要求越小越好，这样就出现了低ESR的电容器。

（2）电容器的tanδ与频率相关。生产厂商给出的tanδ值其测试频率为120Hz频率。

（3）电容器的tanδ与温度相关。例如，CC10型超高频瓷介电容的损耗角正切值，在正常温度下（20℃±5℃），为0.0012；在正极限温度下（85℃），却为0.0018。可以看出，受温度的影响是较大的。