12.1 化学气相沉积 chemical vapor deposition（CVD）

通过化学气相反应在工件表面形成薄膜的工艺。

12.2 等离子体增强化学气相沉积 plasma enhanced chemical vapor deposition（PECVD），plasma as-sisted chemical vapor deposition（PACVD）

利用各种等离子体的能量促使反应气体离解、活化以增强化学反应的化学气相沉积。其中包括：

射频放电等离子体化学气相沉积、微波等离子体化学气相沉积、ERC（电子回旋共振）微波等离子体化学气相沉积、直流电弧等离子体喷射化学气相沉积等。

12.3 火焰沉积 combustion flame chemical vapor deposition，flame deposition

采用高温火焰加热，使反应气体离解、活化的化学气相沉积。

12.4 热丝辅助化学气相沉积 hot filament chermical vapor deposition（HFCVD）

采用通电的灯丝加热反应气体的化学气相沉积。

12.5 电子束辅助热丝化学气相沉积 electron assisted hot filament CVD（EACVD）

采用在灯丝和衬底间施加偏压的方法产生等离子体，提高沉积速率，改善薄膜材料质量的化学气相沉积。(www.daowen.com)

12.6 激光辅助化学气相沉积 laser assisted chemical vapor deposition（LCVD）

利用激光的热或光子能量效应使反应气体活化的化学气相沉积。其中包括：光化学气相沉积，光热解化学气相沉积等。

12.7 金属有机化合物化学气相沉积 metallo-organic chemical vapor deposition（MOCVD）

利用金属有机化合物作为反应气体的化学气相沉积。

12.8 物理气相沉积 physical vapor deposition（PVD）

在真空加热条件下利用蒸发、辉光放电、弧光放电、溅射等物理方法提供原子、离子，使之在工件表面沉积形成薄膜的工艺。其中包括蒸镀、溅射沉积、磁控溅射以及各种离子束沉积方法等。

12.9 离子镀 ion plating

在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分电离，并在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下，将蒸发物质或其反应物沉积在基片上的方法。其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。

12.10 盐浴沉积 salt bath deposition

钢件或模具在含有Cr、V、Nb等元素的高温硼砂盐浴中表面沉积这些元素碳化物耐磨层的工艺。