P89LV51RD2具有独立的程序存储器和数据存储器地址空间。

1.Flash程序存储器

P89LV51RD2含有2个内部Flash存储模块。模块0有64KB，用来存放用户代码。模块1用来存放Philips公司提供的ISP/IAP程序，可以通过使能模块1来覆盖用户代码存储器的前8KB。64KB的模块0可以分成512个扇区，每个扇区含有128B。通过清零FCF寄存器的BSEL位来访问IAP程序。然而，在动态修改BSEL位时要非常小心。由于BSEL位的改变将造成不同的物理存储器都映射到逻辑程序地址空间，因此当在执行0000H～1FFFH地址范围内的用户代码时，用户不能清零BSEL位。

2.数据RAM

数据RAM含有1024B的内部存储器。器件也可对高达64KB的外部数据存储器进行寻址。

3.扩展数据RAM寻址

器件的内部数据存储器由4部分组成：

1）低128B RAM（00H～7FH），可直接和间接寻址。

2）高128B RAM（80H～FFH），间接寻址。

3）特殊功能寄存器（80H～FFH），只可直接寻址。

4）扩展的768B RAM（00H～2FFH），通过移动外部指令（MOVX）和清除EXTRAM位间接寻址。

P89LV51RD2的内部和外部数据存储器结构如图2-4所示。

图2-4 P89LV51RD2的内部和外部数据存储器结构

由于高128B和SFR占用相同的地址，因此RAM空间必须进行间接寻址。尽管RAM和SFR的地址相同，但它们在物理上是独立的。当运用指令来访问高128B空间时（7FH之上），微控制器根据指令类型来决定访问SFR或RAM空间。如果指令采用间接寻址，则访问RAM；如果指令采用直接寻址，则访问SFR，见下述例子。

（1）间接寻址

MOV＠R0，＃data ；R0的内容是90H(www.daowen.com)

寄存器R0指向高地址范围内的90H单元。‘＃data’数据写入到90H RAM单元，而非P1口。

（2）直接寻址

MOV 90H，＃data ；向P1口写入数据

＃data，数据写入到P1口。直接写地址单元的指令就是写SFR。

将EXTRAM清零，使用MOVX指令来访问扩展RAM。外部768B的存储器在物理上位于片内，逻辑上占用的是外部存储器的前768B（地址000H～2FFH）。

当EXTRAM＝0，扩展RAM通过MOVX指令和选定寄存器区的R0、R1寄存器或DPTR间接寻址。对扩展RAM的访问不会影响P0口、P3.6（WR）、P3.7（RD）或P2口。有关EXTRAM＝0时扩展RAM的访问，请参考下面的例子。

（3）扩展RAM访问（只能间接寻址）

MOVX＠DPTR，A ；DPTR指向0A0H单元

DPTR指向0A0H单元，‘A’的内容写入到扩展RAM（而非外部存储器）的0A0H地址单元。利用MOVX指令来访问高于2FFH单元（0300H～FFFFH）的外部存储器，整个过程的执行方法与标准8051器件完全相同：P0和P2口用作数据/地址总线，P3.6和P3.7分别用作写和读信号。

当EXTRAM＝1时，MOVX＠Ri和MOVX＠DPTR的用法与标准8051类似。MOVX＠Ri提供一个8位的地址，此时P0口还复用为数据总线，由其他输出端口引脚输出高地址位。这就提供了一种外部页功能。MOVX＠DPTR产生一个16位地址，允许对高达64KB的外部存储器进行访问。由P2口提供高8位地址（DPH），P0口复用为低8位地址（DPL）总线和数据总线。MOVX＠Ri和MOVX＠DPTR均可产生必需的读和写信号（P3.6—WR，P3.7—RD），供外部存储器使用。

堆栈指针（SP）可以位于内部RAM（低128B和高128B）256B内的任何位置，但不允许位于扩展RAM中。

（4）双数据指针

P89LV51RD2含有2个16位的数据指针。AUXR1寄存器的DPTR选择位（DPS）用来选择使用的数据指针。DPS＝0时，选择DPTR0；DPS＝1时，选择DPTR1。通过对AUXR1执行一条简单的INC指令就可实现2个数据指针的快速切换，如图2-5所示。

图2-5 双数据指针快速切换