晶体管特性图示仪详解

时间：2023-06-15 理论教育 版权反馈

【摘要】：晶体管特性图示仪是一种用途很广的电子仪器，下面先介绍一下部分旋钮的用处。晶体管特性图示仪检查和校正的步骤为1）检查放大器的对称性。

晶体管特性图示仪详解

1.晶体管特性图示仪的检查和校正

晶体管特性图示仪面板示意图见图3-27。晶体管特性图示仪是一种用途很广的电子仪器，下面先介绍一下部分旋钮的用处。

图3-27 JT-1型晶体管特性图示仪面板

（1）X轴或Y轴作用单元的“外接”挡当要显示外接信号时，将开关拨至“外接”挡，外接信号从后箱板上X（+）或X（-）、Y（+）或Y（-）处接入，此时X轴和Y轴放大器的灵敏度为0.1V/度。

（2）X轴或Y轴作用单元的“放大器校正”开关，在进行定量测量时，为了保证屏幕标尺刻度能够准确读数，应先对放大器进行零位和放大倍数的校正。

（3）为了扩大Y轴作用单元的量程，在该单元设有“mA/度倍率”开关，共有×2、×1、×0.1三挡，如置于×2挡，表示将“mA/度”开关的集电极电流的读数加倍。

（4）在测量晶体管时，应根据所测特性曲线的坐标来选择X轴作用“V/度”开关和Y轴作用“mA·V/度”开关的挡位。例如，在测共发射极电流放大特性曲线时，X轴作用“V/度”开关置于“基极电流”挡（最下面方框中的基极电流或基极源电压），Y轴作用“mA·V/度”开关置于“集电极电流”挡。

（5）“级/族”旋钮调节阶梯信号的级数，从4～12级连续可调。例如，测量共发射极输出特性曲线时，阶梯信号每跳变一级，示波管屏幕上就显示出一条曲线。如阶梯信号变化10级（包括i=0），则荧光屏上显示出一族11条输出特性曲线。

（6）阶梯作用开关分三挡，其中“重复”为阶梯信号重复地加在被测管的基极上（指共发射极接法）。在需要观察被测管的特性曲线族时，开关应置于“重复”位置。“关”为阶梯信号停止输出。“单族”为阶梯作用开关向下按一次，只输出一级阶梯信号，相应显示一条曲线。这样便于瞬时测量被测管各项极限参数，避免损坏被测管。使用“单族”时，应预先调好其他各旋钮位置。

（7）“级/s”开关，用来改变阶梯信号的频率相位。其中100即为阶梯信号1s变化100级，200即变化200级。用200级/s时，图像闪烁现象减少，比较稳定。

（8）“零电流、零电压”按键有三挡，中间位置时阶梯信号直接加到被测管的基极。当置于“零电流”时，被测管基极开路，可测I_CEO、BV_CEO；置于“零电压”时，基极与发射极短接，可测I_CES、BV_CES。

（9）“阶梯调零”，用来将阶梯信号起始电位调到零电位。

（10）“接地选择开关”，分为“发射极接地”和“基极接地”两挡，用来选择小圆插座的接地方式。

晶体管特性图示仪检查和校正的步骤为

1）检查放大器的对称性。如果示波器的X轴和Y轴的放大器有相同的增益，则当加相同的阶梯电压时，屏幕上应显示出一列沿对角线排列的亮点。其检查方法是：先开启电源，预热15min，将X轴作用开关和Y轴作用开关均置于“基极电压”0.01V/度，并将基极阶梯信号“阶梯选择”开关也相应地置于0.01mA/级，“极性”为“-”，阶梯作用置于“重复”挡，“级/族”>0，“级/s”任意。这时若X轴和Y轴放大器的增益相同，则屏幕上显示的图形应如图3-28a所示。

2）放大器调零。Y轴放大器调零，应在检查对称性的基础上，将Y轴“放大器校正”开关扳向“零点”位置（即把Y轴放大器输入端短路）。这时屏幕上的亮点应沿水平方向排成一行亮点，见图3-28b。同时要求Y轴作用开关置于不同的“基极电压”挡时，都应满足上述要求。否则，应调节“直流平衡”电位器，直到“基极电压”在0.1～0.5V/级各挡亮点都不产生上下移动为止。

X轴调零，基本同上，所不同的是当X轴“放大器校正”开关扳向“零点”时，亮点应沿垂直方向排成一列。

图3-28 图示仪的检查

a）检查放大器对称性时显示的图形 b）检查Y轴放大器“零点”时显示的图形

3）检查放大器增益。Y轴放大器增益，先在调零的基础上，调节“移位”旋钮，使水平排列的亮点对准标尺格子的上边线，然后将“放大器校正”开关扳向“-10度”挡，这时亮点应立即向下偏10格。要求对Y轴作用开关在“基极电压”的b个挡位，都应逐挡进行上述校正。

X轴增益检查同上。

4）检查阶梯波。在定量测试时，阶梯信号的幅度应该和屏幕上标尺间隔相对应，相位要和标尺垂直坐标对齐。将集电极扫描信号“峰值电压范围”调到0～20V，“峰值电压”为10V，“极性”置于“-”；将基极阶梯信号“级/s”调到200，“极性”为“-”，“级/族”为9，“阶梯作用”调至重复，“阶梯选择”为0.01mA/级；将Y轴基极电压调到0.01V/度，X轴集电极电压1V/度，这时屏幕上将显示图3-29所示的图形。

图3-29 检查阶梯波时显示的图形

调节Y轴“移位”钮，使图形的零线（上边线）与标尺格子上边重合，阶梯波的各级扫描线与标尺刻度相重合。图形两边的转角线成直角。调节“级/族”旋钮，阶梯波的级数应从4～12级间连续变化。

5）阶梯调零。在上述检查的基础上，将“零电流”/“零电压”按键扳向“零电压”，这时零线停留的位置就是阶梯信号真正的零电位。然后让按键回到中间位置，调节“阶梯调零”电位器，使阶梯波的零线与上述“零电压”时的位置重合。

2.使用晶体管特性图示仪时的注意事项

1）检查有关旋钮的位置是否正确。“测试选择”开关置于“关”，“峰值电压”钮调至零，“阶梯作用”置于“关”，“集电极扫描信号”电压范围为0～20V，“峰值电压”置于0，功耗电阻置于1k上，然后才能插上被测管子。

2）根据被测管的类型（PNP型或NPN型）和接法（E接地或B接地），选择“极性”开关位置；测试条件应按管子生产厂家规定的技术条件。

3）根据需要显示的曲线，选择相应的作用开关，并选择合适的量程；要根据被测管的极限参数（最大允许电流、击穿电压和最大功率等）调节旋钮，应注意不得超过极限参数值，以免损坏管子。一般应将功耗限制电阻取得大一些，阶梯电流应取得小一些，然后根据显示图形再作适当调整。

4）打开“测试选择开关”后，调节“峰值电压”钮，应由零逐渐加大，注入基极电流和基极电压时也应逐步增加，并注意功耗电阻的选择。每项测完后，“峰值电压”钮应回旋到零位。

5）测试大功率晶体管、测试极限参数或过载参数时，晶体管由于工作电流很大容易击穿，而且仪器承受不住长时间大电流工作。这时应用“单族”，使基极注入一次阶梯信号就停止，荧光屏瞬时呈现出一族特性曲线，此曲线和重复工作时呈现的完全相同。这样，可测试其参数，又不损坏管子，对仪器也有好处。

6）使用前必须阅读仪器的使用说明书，并检查接线应正确无误。

3.使用晶体管特性图示仪的准备工作

1）将被测试的管子和有关管子的参数手册准备好，以备查阅；同时开启电源，指示灯亮，预热。

2）调整示波管下的旋钮，“标尺亮度”打到红箭头，调节“辉度”、“聚焦”与“辅助聚焦”，使线条或亮点清晰。

3）将集电极扫描的“峰值电压”、“极性”、“功耗限制电阻”旋钮，调到测量需要的范围；其中“峰值电压”先置于最小位置，测量时慢慢增加。

4）将Y轴、X轴作用单元中的“mA·V/度”与“V/度”旋钮，调到测量需要读测的范围。

5）将基极阶梯信号单元中的“极性”、“串联电阻”、“阶梯选择”调到读测的范围。“阶梯作用”置于“重复”，“级/s”可放在100或200。

6）将“测量选择”放在中间位置，接地开关置于需要位置，然后插上被测晶体管，将“测试选择”开关打到要测试的一方。

7）准备测试。

4.用晶体管特性图示仪测试晶体管

现以测试小功率的NPN型管子的共发射极特性为例，进一步说明测试方法。

1）集电极扫描信号单元上的“峰值电压”选“0～20V”，“极性”为“+”（NPN）；基极阶梯信号单元上的“极性”为“+”（NPN），“阶梯选择”置于“mA/级”，“级/s”为200，“阶梯作用”为重复。

2）输入特性曲线。将Y轴作用单元置于“基极电流”或“基极源电压”，X轴作用单元置于“基极电压”，荧光屏上便显示出输入特性曲线，见图3-30。

3）由图3-30可计算出输入阻抗R_λ，R_λ=ΔU/ΔI。

图3-30 晶体管输入特性曲线

4）将Y轴作用单元置于“集电极电流”（1mA/度），X轴作用单元置于“集电极电压”（0.5V/度），“功耗限制电阻”置于1k，“阶梯选择”置于0.02mA/度左右。调节集电极扫描信号，将“峰值电压范围”钮置于（0～20）V挡或（0～200）V挡（要根据管子的参数选择），调节“峰值电压”钮进行扫描，但不易太快或太大，即在荧光屏上显示出晶体管输出特性曲线，见图3-31。

5）由图3-31可以计算出共发射极电流放大倍数β，当集电极、发射极之间的电压U_CE为一定值时，β=ΔI_C/ΔI_B。

6）将基极阶梯信号单元上的“零电流”/“零电压”扳向“零电流”侧，调节集电极扫描信号，将“峰值电压”钮旋大，加大集电极电压U_C，直至屏上的曲线突然向上弯为止。这时的U_C电压即为E-C击穿电压BV_CEO，其数值可由X轴作用单元指示的“V/度”乘以度算出，度即为X轴上从0开始到曲线上弯点的格数。为了防止管子击穿，功耗电阻可适当取大些，调节集电极电压钮要缓慢一些。

图3-31 晶体管输出特性曲线

7）将基极阶梯信号单元上的“零电流”/“零电压”扳向“零电流”，荧光屏上I_B=0所对应曲线指示的I_C值，即为I_CEO。

因为NPN型硅管的穿透电流很小，在图示仪上读不出来。如果要观察明显的I_CEO，可换成PNP型锗管。这时应先将集电极扫描信号单元上的“极性”调到“-”（PNP），基极阶梯信号单元上的“极性”也调到“-”（PNP），交点则应移到荧光屏的右上角。

如果测量大功率晶体管时，对应的X轴、Y轴、阶梯选择都要根据管子的参数相应地增加。在测试管子的极限参数或测试大电流工作情况时，应在被测管子上装接散热片，多采用“单族”。

8）如果测试PNP型晶体管，方法基本同上，只是将扫描信号和阶梯信号上的“极性”打在“-”上即可。

5.用晶体管特性图示仪测试场效应晶体管

场效应晶体管的测试应使用晶体管特性图示仪，现以测试3DJ6为例，说明测试方法。

1）将3DJ6的三个极S、D、G对应于晶体管的E、C、B，分别插入E、C、B孔内，然后仔细检查机壳接地是否良好。

2）集电极扫描信号单元的“极性”取“+”，基极阶梯信号单元的“极性”取“-”，场效应晶体管在测试台的接线见图3-32，10kΩ电阻为外接电阻，发射极应接地。

图3-32 场效应晶体管在测试台上的接线

3）调节X轴和Y轴的“位移”按钮将光点调到X=0、Y=0的位置，“峰值电压”范围为0～20V，X轴作用单元为“集电极电压”（2V/度左右），Y轴作用单元为“集电极电流”，“阶梯选择”为mA/级（取0.05mA/级），B、E上外接10kΩ电阻，则阶梯电压为0.5V/级。功耗电阻为1kΩ。这时逐渐增加集电极扫描电压，也就是调节“峰值电压”钮，即可在荧光屏上得到一族输出特性曲线，见图3-33。

4）特性曲线最上面的一条为U_GS=0时的漏源电流，即为饱和漏电流I_DS；放大倍数跨导g_m=△I_DS/△U_GS，条件为U_DS固定不变；I_DS→0时的栅极电压为夹断电压U_P，一般取I_DS=50μA时，栅极电压为U_P。

5）为进一步观察g_m和U_P，可将X轴作用单元打到基极电流或基极源电压，并使光点移到X=10、Y=0的位置，然后再加集电极电压，即可得到转移特性曲线，见图3-34。此曲线的斜率为跨导，I_DS=50μA时的栅极电压即为夹断电压U_P。为使U_P看得更清楚，可将Y轴作用开关放到0.01mA/度的位置，把小电流的部分放大，明显地看出I_DS=50μA处的栅极电压。

图3-33 场效应晶体管输出特性曲线

图3-34 场效应晶体管转移特性曲线

6.用晶体管特性图示仪测试二极管、稳压管(www.daowen.com)

1）将二极管按图3-35a接在测试台上，并将光点移到X=0、Y=0的位置。“峰值电压范围”为0～20V，X轴作用单元为“集电极电压”（0.1V/度），Y轴作用单元为“集电极电流”（0.2mA/度），“阶梯作用”开关为“关”，集电极扫描信号单元“极性”取“+”。调节集电极扫描电压，即可得到二极管正向特性曲线，见图3-35b。测试时，应适当选择集电极功耗电阻，一般取1kΩ。

2）正向直流电阻R_直就是二极管两端所加电压与流过它的电流之比。假设二极管工作在A点，R_直=U_A/I_A。正向交流电阻R_交就是二极管在工作点附近电压变化值与相应的电流变化值之比，即R_交=ΔU_A/ΔI_A，见图3-35b。

3）测试二极管反向特性时，应在二极管上加反向电压，即将集电极扫描信号单元“极性”取“-”，逐步加大集电极电压，可以看到二极管的反向漏电流突然增大，出现反向击穿，该点的电压即为反向击穿电压。反向击穿电压大于200V的二极管在仪器上看不到击穿现象，因为图示仪最大扫描电压为200V。

图3-35 二极管的测试

a）二极管在测试台上的接线 b）二极管的正向特性曲线

4）将稳压管按图3-36a接在测试台上，并将光点移到X=0、Y=0的位置。峰值电压范围为0～20V，X轴作用单元为“集电极电压”（1V/度），Y轴作用单元为“集电极电流”（2mA/度），“阶梯作用”开关为“关”，功耗电阻为1kΩ，集电极扫描信号单元“极性”取“+”，调节集电极扫描信号，即得反向特性曲线，见图3-36b。在I_D=10mA处所对应的X轴电压，即为该稳压管的稳定电压U_Z。稳压管的动态电阻R_Z，是指在规定的稳定电流I_Z下，电压微量变化引起的电压变化量与该电流变化量之比，即R_Z=ΔU_Z/ΔI_D，这里指在I_D=10mA附近，I_D的微量变化ΔI_D引起的电压变化量ΔU_Z与ΔI_D之比。

7.用晶体管特性图示仪测试单结晶体管

单结晶体管的测试一般用晶体管图示仪，现以测试BT-33为例说明测试方法。

图3-36 稳压管的测试

a）稳压管在测试台上的接线 b）稳压管的反向特性曲线

1）按图3-37a把被测管接在测试台上，10V电池为外接电源；图示仪产生的集电极扫描电压，加在E、B₁上；“峰值电压范围”为0～20V，X轴作用单元为“集电极电压”（1V/度），Y轴作用单元为“集电极电流”（0.1mA/度），集电极扫描信号单元“极性”取“+”，调节集电极扫描电压旋钮，即可得出单结晶体管的特性曲线，见图3-37b。

图3-37 单结晶体管的测试

a）接线图 b）特性曲线

2）P点为峰点，U_P为峰值电压，I_P为峰值电流；V点为谷点，U_V为谷值电压，I_V为谷值电流。I_P很小，一般小于2～4μA，因此0～U_P这一段为近似直线，荧光屏上只能看到一条直线。从P点到V点之间为负阻区，即图中的虚线部分，荧光屏上看不到。到达V点之后，U_E将随着I_E的增加而渐渐上升。

8.用晶体管特性图示仪测试隧道二极管

隧道二极管的测试一般用晶体管图示仪，现以测试2BS4为例说明测试方法。

1）按图3-38a把被测管接在测试台上，并将光点移到X=0、Y=0的位置，“峰值电压范围”为0～20V，X轴作用单元为“集电极电压”（0.05V/度或0.1V/度），Y轴作用单元为“集电极电流”（0.2～1mA/度），“阶梯开关”置于“关”的位置，集电极扫描信号单元“极性”取“+”，调节集电极扫描电压，即得到隧道二极管的特性曲线，见图3-38b。

2）P点为峰点，对应的U_P为峰值电压，I_P为峰值电流；V点为谷点，对应的I_V和U_V分别为谷点电流和谷点电压；F点对应的U_F为正向电压值。图中虚线部分，图示仪上看不出，为负阻特性；加反向电压，电流剧增，如同普通二极管被击穿一样。

图3-38 隧道二极管的测试

a）接线图 b）特性曲线

9.用晶体管特性图示仪测试运算放大器

运算放大器的测试较为复杂，一般由生产厂家或国家电子器件技术监督部门使用专用仪器进行测试。对于仪表工来讲，可使用SR8型双踪示波器、DYC-5型超高频电子管电压表、XD2型信号发生器联合接线进行测量。

（1）仪器的使用

1）SR8型双踪示波器：加入信号前先接通电源，先调节“辉度”、“聚焦”、“辅助聚焦”各旋钮，使屏幕上显示出一条细而明亮清晰的扫描基线；若扫描线偏离屏幕，可按下“寻迹”开关，找出偏离方向，然后调节X轴或Y轴的“位移”旋钮，使基线回到屏幕中央；Y轴有两路输入，Y_A和Y_B。作单踪显示，可将信号从Y_A或Y_B输入，这时显示方式开关应拨至Y_A或Y_B挡；作双踪显示，可将两个不同信号分别从Y_A和Y_B输入，这时显示方式开关应拨至“交替”或“断续”挡，视被测信号频率高低而定；当测量单踪信号时，应调节Y_A或Y_B的灵敏度选择开关“V/div”及其“微调”钮（div即格），改变扫描电压的周期T_c。当T_c为正弦信号周期T_s的整数倍时，屏幕上就能显示出稳定的正弦波图形。改变T_c和T_s的倍数关系，就能控制显示正弦波形的个数。

当测量信号的幅度时，应将Y轴灵敏度红色微调钮置于“校准”位置，这时Y轴灵敏度选择的黑色钮所指示的刻度就是屏幕上纵向每格的电压伏数。因此，被测信号的峰峰值电压等于屏幕上显示波形的高度乘以灵敏度选择钮所指示的刻度值。当采用10∶1衰减探头时，电压峰值为上述确定的数值再乘以10。

当测量信号的时间参数时，将X轴扫描速率红色微调钮置于“校准”位置，为了保证测量精度。屏幕上一个周期应占有足够的格数，也就是要占满格，因此应将扫描速率开关置于合适的挡位；这样扫描速率黑色钮的刻度“t/div”，就是屏幕上横向每格的时间数。被测信号所占据的时间等于屏幕上显示波形的水平距离乘以扫描速率钮所指示的刻度值。

当测量两个正弦波信号之间的相位差时，应将信号分别加到Y_A和Y_B端，显示方式钮置于“交替”或“断续”挡。然后分别调节Y_A、Y_B的“位移”钮和灵敏度选择开关“V/div”及其“微调”钮，就可在屏幕上看到两个高度相等的正弦波形。再将推拉式开关“内触发Y_B”拉出，使内触发信号只取自Y_B的输入信号，这样就可以进行比较了。SR8型双踪示波器面板布置见图3-39。

图3-39 SR8型双踪示波器面板示意图

2）DYC-5型超高频电子管电压表：测量直流电压前先进行零位调整，通常是先接通电源预热10min后，将“测量选择”开关置于V+或V-，调节“零位调节”钮，使表头指示为零。然后再将“测量选择”开关扳至V-或V+，表头指示仍为零。测量交流电压前，应进行交流零位调整，但必须在直流零位调整之后进行，因为测量是以直流电桥的平衡为准的，不然将会引起测量误差。调整时，将“测量选择”开关置于V-挡，“测量范围”钮置1V挡，并将检波探头的探针与地短路，调节“交流零位调整”钮使表头指示为零。零位调整应反复进行，但只要预热时间足够长，零位一经调好，在改变量程时，可不必重调，但应校正一下是否在零位。

测量直流电压时要根据被测电压的极性，将“测量选择”开关置于V+或V-挡，被测电压由V=接线柱输入。测量高压时要注意安全。

测量交流电压时，“测量选择”开关置于V-挡，被测信号由V-接线柱输入。测量高频电压必须改用高压检波探头，探头地线应尽可能短。

测量电阻时，“测量选择”开关置于Ω挡，一端接于Ω接线柱，另一端接于探针。

用直流中心零位指示时，“测量选择”开关置挡，调节“零位调整”钮，使针对准中心零位，灵敏度由“测量范围”选择开关决定。当被测电压为正极性时，指针向右偏转；为负极性时，向左偏转，用以判定被测信号的极性。

DYC_-5型超高频电子管电压表面板布置见图3-40。

图3-40 DYC-5型超高频电子管电压表面板示意图

3）XD2型信号发生器：接通电源预热后，根据所需频率，将“频率范围”钮置于相应频段，然后分别调节三个“频率调节”钮，即可从这四个钮的指示上读出频率。例如，“频率范围”在1～10kHz挡，“频率调节”钮“×1”置于3，“×0.1”置于4，“×0.01”置于6，则为3.46kHz。

调节信号输出幅度时，调节“输出细调”钮，使表头指示在某一数值，同时调节用分贝数值表示刻度的“输出衰减”钮，即可读出输出信号的幅度。如“输出衰减”钮置于0dB时，表头指示值即为输出信号电压的有效值；“输出衰减”钮置于10dB时，输出信号电压为表头指示置的0.316倍。

XD2型信号发生器面板布置见图3-41。

图3-41 XD2型信号发生器面板示意图

（2）参数的测量

1）输入失调电压U_os的测量：按图3-42将电路搭好，集成运放的引脚使用引脚插座，不得直接焊接。图中小三角形表示理想集成运放，而带虚线的大三角形则表示实际的集成运放，其中Ib1、Ib2为恒流源提供的偏置电流。将输出端的“+”分别接在SR8型示波器的Y_A端和DYC-5型电压表的V=端，同时将示波器的“显示方式”开关拨至Y_A，电压表的“测量选择”钮置于V_+挡，并调节“零位调整”，使指针指向零位。

闭合开关S₁和S₂，并将集成运放插入管座，检查无误后再接通±15V电源，然后用调整好的示波器观察有否自激振荡波形，如有则应接入相位补偿电容C_ϕ消除自激。不同型号的管子，C_ϕ的数值不同，表3-8列出了5G23型集成运放的补偿电容值。

然后用调整好的DYC-5型电压表测出输出电压U_o1，即可代入U_os=U_o1×10^-3中算出U_os。

2）测量静态功耗P：在正、负电源回路串入直流mA表或用万用表的mA挡，读出I₊和I-，然后代入P=EI++EI-算出P。

图3-42 输入误差参数U_os、I_os、I_b的测量电路

表3-85G23型集成运放在反相应用时的补偿电容

3）测量输入失调电流I_os：将S₁、S₂打开，按测量U_o1的方法测出输出电压U_o2，然后代入，即可算出I_os。4）测量输入偏置电流I_b：打开S₁、闭合S₂，测出输出电压U_o3；闭合S₁、打开S₂，测出输出电压U_o4；然后代入，即可算出I_b。但是这里要注意，U_o3和U_o4应是符号相反的两个数值，否则应加大R_b的数值后再进行测量，直到符号相反。而R_b的数值应严格对称相等，否则会引起很大的误差，同时应用示波器随时监视波形，如果自激，应加入Cϕ消除。

5）测量开环电压增益K_d：按图3-43接好电路，检查无误后插入集成运放，接通电源，观察波形有无自激，进行补偿。

图3-43 开环电压增益K_d的测量电路

按前述方法使XD2型信号发生器产生200Hz的正弦信号电压加到输入端，用DYC-5型电压表的“V-”挡测量Uo和Ui，然后代入Kd=60+，即可算出开环电压增益K_d。

这里应注意，从∑点到反相端之间的连接线应尽可能短，以免引入交流干扰；输入信号电压不宜过大，并随时用示波器观察波形，若有自激，应先补偿后测量。

6）测量共模抑制比CMRR：按图3-44把电路接好，其他同5）；输入f=200Hz、U_ic=5V的共模信号电压，用DYC-5型电压表的“V-”挡测量输出电压Uo，代入CMRR=40+，即可算出共模抑制比。

这里要注意，输入的共模电压U_ic必须小于被测集成运放的最大共模输入电压范围U_CM，否则将使CMRR降低；CMRR的测量精度取决于R_f和R₃、R₁和R₂的匹配程度，如果CMRR规定的测量误差为1%，则电阻的相对误差应小于0.025%；随时监视有无自激，如有则应先补偿，后测量。

图3-44 共模抑制比CMRR的测量电路

（3）用万用表简单检查集成运放的方法

以5G33通用Ⅱ型运算放大器为例，通过测量1-3端、8-2端的正向、反向电阻值，可以分别判断VT₁、VT₂的C-B结是否完好；通过测量5-6端的正向、反向电阻值，可以判断VT₇、VT₈的E-B结是否完好；还可以检查正、负电源引出线7-4端对输出端6有无短路等现象。5G33通用Ⅱ型运算放大器的电路及引脚见图3-45。