1．韩国半导体产业现状

韩国是现今仅次于美国的全球第二大半导体产品生产国，韩国半导体企业在全球市场占有率近30%，已形成了以三星电子、SK海力士等企业为核心，IC设计、制造、封测、设备、材料五位一体的全产业链发展模式。韩国尤其在存储器领域优势显著，三星和SK海力士两家公司合计占全球DRAM存储器市场的72%，占全球NAND Flash市场的50%。2017年凭借在存储器市场上的出色表现，韩国三星半导体成为全球销售收入最大的半导体企业，25年来首次将美国英特尔从榜首位置挤下来。近年来得益于存储芯片的涨价，韩国半导体产值大幅增长，从2016年的805亿美元增长至2018年的1385亿美元，年均复合增长率31%。2018年韩国国内市场销售额487亿美元，同比增长5%。

2018年韩国集成电路出口1097.8亿美元，同比增长27%。从出口结构看，韩国出口产品主要是存储器，共830.5亿美元，占比76%；其中，DRAM产品出口额约为348亿美元，同比增长49%；NAND Flash产品出口额约为78亿美元，同比增长60%；多芯片存储器出口额约为232亿美元，同比持平；用于通信设备的存储器（MCO）产品则大幅增长，2018年出口额约为169亿美元，同比增长98%。从出口区域看，韩国对中国、越南、美国出口占比分别为66.7%、9.3%、4.5%。由于中国电子消费市场规模较大，是重要的组装、封测基地，带动半导体市场需求增加，出口到中国的比重最大。越南是第三大出口地，由于在越南的韩国电子产品企业扩产，使得韩国对越南的集成电路产品出口量大幅增加。2018年韩国集成电路进口345.2亿美元，同比增长3%。从进口结构看，进口产品以处理器和存储器为主，占比分别为38%和47%。

2．韩国半导体产业的转型升级及主要经验

（1）第一阶段：实行官产学研联合，推进产业转型升级

韩国半导体产业发展始于代工业务。1966年美国仙童半导体（Fairchild）以极其严苛的条件向韩国政府提出了半导体制造及装配计划，要求对其所投资的工厂拥有完全所有权并允许生产的产品进入韩国国内市场。韩国政府同意后，美国半导体公司竞相投资韩国，摩托罗拉、Phillips等公司开始陆续在韩国投建存储芯片封装、模组厂，开启韩国半导体产业的发展。这段时间外国厂商主要利用当地廉价劳动力，进行简单的散件组装，技术非常低端。

为改变韩国处于半导体产业链下游的状况，政府大力推进以集成电路为主体的官产学研合作的政策。1976年韩国政府建立韩国电子技术研究所（KIET），分为半导体设计、制程、系统三大部门，每个部门都交给具备美国半导体产业研究经验的专员领导，并招收美国归来工程师，设置试验生产线，协助企业研发集成电路关键技术。1979年韩国电子技术所生产出16K DRAM，这是韩国第一次掌握超大规模集成电路技术。1981年，韩国政府正式通过了《半导体工业综合发展计划》，该计划明确韩国半导体产业应着重发展晶圆制造，而不是一直处于产业链价值末端且技术含量较低的封装测试，并且确立了大规模生产内存芯片用于出口的出口导向型发展战略。

（2）第二阶段：构建殖产兴业财阀制度，技术引进转向自主研发

1986年后美国开始向三星、现代以及其他八家日本企业提出技术版权诉讼，韩国与日本均以赔偿而失败收尾。面对技术短板的韩国政府决定效仿日本的官产学制度，构建了韩国版本的殖产兴业财阀制度。此外，韩国政府制定了系统的人才策略，委派大量留学生到美国学习工作，大批海归以高管身份加盟三星、海力士研发制造团队，这些人才对韩国半导体产业界做出了重大贡献。(www.daowen.com)

韩国政府成立类似日本 VLSI的4M DRAM国家项目研究组，由韩国电子通信研究所（KIST）牵头，联合三星、LG、现代三家财阀和韩国六所大学，一起对4M DRAM进行技术攻关。但与日本VLSI项目不同的是，韩国政府主要起的是资金调配作用，该项目三年中的研发费用高达到1.1亿美元，韩国政府承担了其中57%的投资。而技术研发任务主要由三星、LG、现代（2001年分离出为海力士）三家财阀主导，他们是韩国半导体领域技术突破的主力军。财阀利用政府的资金支持，重金购买技术（包括技术授权及购并拥有技术的公司），以及重金礼聘工程技术人才进行自主研发。例如，当外国企业拒绝技术转让时，三星通过聘请外国专家的做法掌握了4M DRAM的核心技术，这对韩国最终成功自主开发4M DRAM起了很大的作用。与日本 VLSI企业联合攻克技术不同的是，在韩国项目研究组里，财阀研究团队各自为政，三家企业相互独立、相互竞争。这种方式促进了韩国 DRAM技术快速提升，从1989—1994年，韩国芯片专利数量由708项激增到3336项，几乎是其他国家专利数总和的两倍，其中三星拥有2445项，现代拥有2059项。

在这一阶段，通过“学习－模仿－超越”的过程，以三星为首的韩国半导体企业，逐渐从以前的依存于外国技术的半导体开发战略，转向并行开发自身技术的新战略。自1994年推出全球首款256M DRAM开始，特别是三星关于 DRAM“双向型数据通选方案”被认定为行业标准后，韩国在 DRAM领域一直处于全球领先水平，并将存储器界的成功衍生至非 MEMORY领域。时至今日，韩国已成为全球第二大系统芯片大国。

（3）第三阶段：把握市场需求，打造垂直一体化的全产业链

在PC和移动通信的消费电子时代，高性价比取代大型机高可靠性的标准成为半导体产品核心竞争力。与日本不同，韩国抓住大型机到消费电子的转变期对新型存储器的需求，企业积极调整产品方向抢占先机，致力于生产面向PC和移动通信的 DRAM产品。借助亚洲电子产业崛起以及日本半导体产业受限，韩国半导体产业迎来绝佳的发展机会。1986年因为美日半导体协议，日本半导体厂商减产，使国际半导体价格回升，同时由于日本厂商出口受限，并且被迫打开国内市场，使韩国公司抓住机会迅速打开了美国、日本以及更多的市场。随着终端需求向中国转移，韩国企业又继续挺进中国市场，以海力士为例，2008年全球金融危机爆发后，全球 DRAM产业累计亏损超过125亿美元，反观海力士，依托中国的巨大市场，凭借无锡海力士的投产仅一年时间就扭亏为盈。

把握市场机遇的同时，韩国政府加快了布局全产业链的步伐，努力打造以三星、海力士等财阀为核心，覆盖全产业链的产业格局。为加强上游设备和电子化学品原材料的国产化，韩国政府主导推出总预算2000亿韩元的半导体设备和材料国产化项目，以优厚条件招揽美国化工巨头杜邦、硅片原料巨头 MEMC、日本 DNS等厂商在韩国设立合资公司以获取先进技术，韩国半导体设备国产化率从1993年的8%上升到2015年的30%。自此韩国半导体产业形成核心技术创造、上游设备材料供应、海外终端需求支撑的完整产业链条。韩国半导体产业结构可以视作三星、海力士等顶层财阀的 IDM模式的放大版，并形成了以财阀为主导、带领中小企业出口海外的产业经营策略。

总结韩国半导体产业的成功经验，除了及时把握产业新需求、集中政府与大财阀资源进行产业重点突破外，长期以来对技术研发和专业人才的持续大手笔不间断地投入，也是韩国半导体产业成功的关键。

1997年亚洲金融危机爆发后，很多韩国企业大幅减少研发投入，但是韩国政府却在当时大幅提升了对产业研发的资金支持。这不仅帮助韩国企业尽快克服了金融危机带来的冲击，还为韩国在金融危机结束之后一跃成为半导体强国奠定了坚实基础。此后，在政府基金、公司投资的支援下，韩国政府不断加大对半导体产业的资金投入，即使全球半导体行业在2009年金融风暴产业环境不景气时，也持续加大了投资力度。在产业低潮期大规模招揽人才、扩大产能，开启逆周期的投资模式，通过“投资－扩大生产－影响芯片价格”，韩国挤走了众多竞争企业实现市场份额的进一步扩大。

同时，韩国政府积极制定了系统的人才培养计划。早期委派大量留学生到美国学习工作，大批海归回国以高管身份加盟三星、海力士等企业的研发制造团队，他们为韩国 DRAM的成功做出了重要贡献。此外，韩国政府重金聘用全球半导体专业人才。当日本在经济泡沫与美国双重打击下，多数企业没有多余资金投入再研发时，韩国以重金疯狂吸引这些人才。正如 NHK纪录片《重登顶峰，技术人员20年的战争》提到，即使如东芝一样著名日本领军企业，也遭受人才流失问题，其中70%被三星以三倍薪资挖走。现在，韩国政府打算联手企业开展校企合作，共同培养半导体人才。政府和三星计划与国内优秀大学展开合作，新设四年制半导体科系，由企业保障就业，从大学开始就找可塑人才，使其充分掌握半导体相关技术，进行精准培养。