全桥隔离变换器的拓扑结构如图5.21所示。当VT1与VT4开通后，VD1处于通态，电感L电流逐渐上升。当VT2与VT3开通后，VD2处于通态，电感L的电流也上升。当4个开关都关断时，VD1和VD2都处于通态，各分担一半的电感电流，电感L的电流逐渐下降。
图5.21 全桥隔离变换器的拓扑结构
半桥隔离变换器的拓扑结构如图5.22所示。当VT1开通、VT2关断时，C1上储能经变压器传递到二次侧，此时电源经VT1、变压器向C2充电，C2储能增加。同时VD4导通。电容C1、C2上的电压为US/2。当VT1关断、VT2导通时，电容C2上储能传到二次侧。电源经变压器、VT2向C1充电，C1储能增加。同时VD3导通。当两个开关都关断时，变压器绕组N1中的电流为零，VD3和VD4都处于通态，各分担一半的电流。
图5.22 半桥隔离变换器的拓扑结构
正激变换器的拓扑结构如图5.23所示。当VT1导通时，电源能量经变压器传递到负载侧。当VT1截止时，由于电感电流不能突变，线圈n1会产生下正上负的感应电动势e1。同时线圈n3也会产生感应电动势e3＝n3e1/n1，当e3＝US时，VD3导通。磁场储能转移到电源US中，此时VT1上承受的最高电压为US+n1US/n3。(www.daowen.com)
图5.23 正激变换器的拓扑结构
推挽变换器的拓扑结构如图5.24所示。推挽电路中开关VT1和VT2交替导通，在绕组n1和n2两端分别形成相位相反的交流电压。当VT1导通时，VD1处于通态，电感L的电流逐渐上升；当VT2导通时，二极管VD2处于通态，电感L电流也逐渐上升。当两个开关都关断时，VD1和VD2都处于通态，各分担一半的电流，VT1和VT2断态时承受的峰值电压均为2Ud。
图5.24 推挽变换器的拓扑结构
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