薄膜硅电池的产业链结构与晶体硅的相同。

薄膜硅电池技术的主要优点是：当它们的大规模生产可以抵消初投资时，它们将比晶体硅电池的成本更低。薄膜硅电池的成本更低主要因为以下几个原因：①它们通常比硅薄100倍（约为1～3μm，所有的半导体层），沉积在相对低成本的衬底上，如玻璃、金属箔和塑料；②它们通常可以大面积低温沉积（200～500℃，而硅约为1400℃）；③很容易集成为单片式内联组件。因为具有柔性、质量轻及半透明的特点，所以其特别适用于光伏建筑一体化和光伏消费品。

薄膜硅电池的缺点是转换效率较低，同晶体硅相比薄膜电池的相关知识和技术还不完善。因此，本来就资金不充裕的公司不仅要致力于对材料和器件的理解，还要开发工艺设备，这样难度显然很大。此外，薄膜硅产业还要在资助比硅产业少的情况下全靠自己开发相关技术。它们不能像晶体硅电池可以从硅电子行业借鉴，因为其没有任何成熟技术可采用。因此，对薄膜电池技术而言，产业的发展制约于生产设备的开发，这表明将实验室室级的电池特性转移到产业中的难度要大于晶体硅电池的。(www.daowen.com)

薄膜电池包括几种电池技术，分别是产业化较成熟的薄膜硅电池技术和处于产业化早期阶段的CIGS和TdTe电池技术。