晶体硅（c-Si）电池是目前最成熟、使用最广泛的技术，由于可直接借鉴半导体制造技术的成熟经验所以其发展迅速。目前产业化光伏电池的平均转换效率为单晶硅17.5%～18%，多晶硅17%～17.5%。晶体硅电池制造的特点是产业链较长、工艺成熟、工艺控制性好、产品成品率高、转换效率较高等。晶体硅电池根据材料的不同可分为单晶硅电池和多晶硅电池。

尽管单晶硅与多晶硅技术非常类似，很多工艺都是相同的，但是还是存在很多差别。首先，单晶硅片比多晶硅片价格更贵。因为拉单晶硅棒比多晶硅铸锭要求能耗更高，大约每产出1W将高出20%的能耗；其次，单晶硅电池与多晶硅电池相比，转换效率更高。因为单晶硅片没有晶界，有利于提高电池转换效率，单晶硅比多晶硅转换效率高1%左右；第三，从电池制造来说，多晶硅对工艺控制要求更高。

在晶体硅电池中，除了广泛采用常规工艺的常规电池外，还有部分采用特殊工艺生产的高效电池，如三洋的HIT电池及Sunpower的背接触电池。这两种电池的转换效率很高，但是相对成本也很高。2010年两种电池的产量达到全球总出货量的4%，即920MW。三洋的HIT（Heterojunction With Intrinsic Thin Film Layer）电池结构（见图3-1）特点为在N/P型晶体硅上沉积本征和P/N型非晶硅层，形成异质结，其实验室转换效率达到23.7%，产业化转换效率达到19.8%，组件转换效率达到17.1%。Sunpower的背接触电池（见图3-2）的特点是正负电极都在电池背面，入射光面没有任何金属遮挡，电池的实验室转换效率达到了24.2%，产业化转换效率达到22%，组件转换效率达到19.5%，是到目前为止转换效率最高的产业化组件。

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图3-1 传统的电池结构及三洋公司的HIT电池结构

图3-2 Sunpower公司的背接触电池结构