理论教育 新市场破坏性创新:概念与实践

新市场破坏性创新:概念与实践

时间:2023-05-28 理论教育 版权反馈
【摘要】:如图1.2所示,点a、c、d、e、f分别为核心竞争性能维度1中技术进化“S”曲线上的技术进化节点,点b是位于另一性能维度中技术进化“S”曲线的进化节点,技术进化节点的连接过程反映了技术进化轨迹,进而能够直观辨别出几种创新类型,内容如下。突破性创新是发生于原主流性能竞争维度中相邻“S”曲线间的首尾跳跃,是主流技术性能发展轨迹的自然更迭。

新市场破坏性创新:概念与实践

上文中曾提到过,根据是否专注于对原有性能的提升与改进,创新类型包括持续性创新与破坏性创新两大类。其中,破坏性创新包括低端破坏性创新与新市场破坏性创新,持续性创新又包括渐进性创新与突破性创新两类。为更加清晰描述新市场破坏性创新与其他几种创新类型的区别,本节应用技术进化分支理论[78,88]对新市场破坏性创新的概念给出详细阐述。如图1.2所示,点a、c、d、e、f分别为核心竞争性能维度1中技术进化“S”曲线上的技术进化节点,点b是位于另一性能维度中技术进化“S”曲线的进化节点,技术进化节点的连接过程反映了技术进化轨迹,进而能够直观辨别出几种创新类型,内容如下。

(1)新市场破坏性创新(New market disruptive innovation,NDI)。从技术进化的角度,新市场破坏性创新是发生于不同性能维度中进化节点之间的跳跃,它由原技术性能发展轨迹上的某技术进化节点处产生进化分支,将技术进化轨迹转移到另一技术性能维度中,创造了新的技术发展轨迹。如图1.2所示,由原主流性能竞争维度1中的技术进化成熟期的节点a产生进化分支,跃迁向另一性能竞争维度中技术进化曲线上节点b的过程,为新市场破坏性创新。

(2)低端破坏性创新(Low-end disruptive innovation,LDI)。低端破坏性创新与新市场破坏性创新相同的是,同样为原主流性能竞争维度1中技术进化曲线上产生的技术进化分支,但不同的是,它并不是向第三维度中的技术进化曲线跃迁,而是植根于原技术性能维度向低端跳跃。如图1.2所示,由技术进化节点a向节点c产生的技术进化分支为低端破坏性创新。

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图1.2 技术进化轨迹上的创新类型区分

(3)渐进性创新(Incremental innovation,II)。渐进性创新是由原主流性能竞争维度中单一技术进化“S”曲线上某技术进化节点向上不断发展的过程。例如,如图1.2中技术进化节点d到a、a到e的技术进化过程。

(4)突破性创新(Radical innovation,RI)。突破性创新是发生于原主流性能竞争维度中相邻“S”曲线间的首尾跳跃,是主流技术性能发展轨迹的自然更迭。如图1.2中所示,由技术进化节点e向f的跳跃过程为突破性创新。

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